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Dry etch反应过程、非等向蚀刻原理以及sidewall protect 一、dry etch反应过程 dry etch反应过程概括起来可分为四个过程： ①plasma中反应物（radical、离子）的形成（解离，离子化）； ②反应物朝. 光刻 (photo)工艺中resist异常导致干法刻蚀 (dry etch)的特征图形异常 干法刻蚀偏差 (etch bias): 以下将简要介绍dry etch工艺中常见的profile类型、产生原理和改善方法。 一、bowing：弓形，sidewall弯曲。 产生原理包括离子反射、阳离子撞击、o2过多等。 改善方法包括调.
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